Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
| 1. | 
Ikramov R. G. Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H [Електронний ресурс] / R. G. Ikramov, M. A. Nuriddinova, R. M. Jalalov // Український фізичний журнал. - 2019. - Т. 64, № 4. - С. 313-319. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2019_64_4_10 Досліджено спектральні характеристики коефіцієнта дефектного поглинання аморфного гідрогенізованого кремнію, які визначаються з електронних переходів, в яких беруть участь енергетичні стани обірваних зв'язків (дефекти). Показано, що в значеннях коефіцієнта дефектного поглинання основну роль відіграють електронні переходи між дефектними і нелокалізованими станами. Показано, що спектральна характеристика в основному визначається функцією розподілу щільності електронних станів, що знаходяться в валентній зоні або в зоні провідності. Визначено, що максимуми в спектральній характеристиці коефіцієнта дефектного поглинання з'являються у тому випадку, коли в межах дозволених зон є яскраво виражені максимуми.Досліджено спектральні характеристики коефіцієнта дефектного поглинання аморфного гідрогенізованого кремнію, які визначаються з електронних переходів, в яких беруть участь енергетичні стани обірваних зв'язків (дефекти). Показано, що в значеннях коефіцієнта дефектного поглинання основну роль відіграють електронні переходи між дефектними і нелокалізованими станами. Показано, що спектральна характеристика в основному визначається функцією розподілу щільності електронних станів, що знаходяться в валентній зоні або в зоні провідності. Визначено, що максимуми в спектральній характеристиці коефіцієнта дефектного поглинання з'являються у тому випадку, коли в межах дозволених зон є яскраво виражені максимуми. |
| 2. | 
Ikramov R. G. Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H [Електронний ресурс] / R. G. Ikramov, M. A. Nuriddinova, R. M. Jalalov // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 4. - С. 315-321. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_4_10 Досліджено спектральні характеристики коефіцієнта дефектного поглинання аморфного гідрогенізованого кремнію, які визначаються з електронних переходів, в яких беруть участь енергетичні стани обірваних зв'язків (дефекти). Показано, що в значеннях коефіцієнта дефектного поглинання основну роль відіграють електронні переходи між дефектними і нелокалізованими станами. Показано, що спектральна характеристика в основному визначається функцією розподілу щільності електронних станів, що знаходяться в валентній зоні або в зоні провідності. Визначено, що максимуми в спектральній характеристиці коефіцієнта дефектного поглинання з'являються у тому випадку, коли в межах дозволених зон є яскраво виражені максимуми.Досліджено спектральні характеристики коефіцієнта дефектного поглинання аморфного гідрогенізованого кремнію, які визначаються з електронних переходів, в яких беруть участь енергетичні стани обірваних зв'язків (дефекти). Показано, що в значеннях коефіцієнта дефектного поглинання основну роль відіграють електронні переходи між дефектними і нелокалізованими станами. Показано, що спектральна характеристика в основному визначається функцією розподілу щільності електронних станів, що знаходяться в валентній зоні або в зоні провідності. Визначено, що максимуми в спектральній характеристиці коефіцієнта дефектного поглинання з'являються у тому випадку, коли в межах дозволених зон є яскраво виражені максимуми. |
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |